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IXFN520N075T2
场效应管, MOSFET, N沟道, 75V, 480A, SOT-227E
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY238.650 (CNY269.6745) |
| 5+ | CNY212.040 (CNY239.6052) |
| 10+ | CNY185.430 (CNY209.5359) |
| 50+ | CNY178.600 (CNY201.818) |
| 100+ | CNY171.760 (CNY194.0888) |
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXFN520N075T2
库存编号3771785
技术数据表
通道类型N Channel
电流, Id 连续480A
漏源电压, Vds75V
晶体管封装类型SOT-227
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5V
晶体管安装Module
功率耗散940W
工作温度最高值175°C
针脚数4引脚
合规-
产品范围Trench T2 GigaMOS HiperFET Series
技术规格
通道类型
N Channel
漏源电压, Vds
75V
Rds(on)测试电压
10V
晶体管安装
Module
工作温度最高值
175°C
合规
-
电流, Id 连续
480A
晶体管封装类型
SOT-227
阈值栅源电压最大值
5V
功率耗散
940W
针脚数
4引脚
产品范围
Trench T2 GigaMOS HiperFET Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.044725