打印页面
IXFN90N85X
晶体管, MOSFET, N通道, 90 A, 850 V, 0.041 ohm, 10 V, 5.5 V
106 有货
需要更多？
106 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY482.420 (CNY545.1346) |
| 5+ | CNY446.170 (CNY504.1721) |
| 10+ | CNY409.650 (CNY462.9045) |
| 50+ | CNY387.540 (CNY437.9202) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY482.42 (CNY545.13 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXFN90N85X
库存编号3930244
技术数据表
通道类型N通道
电流, Id 连续90A
漏源电压, Vds850V
漏源接通状态电阻0.041ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5.5V
功率耗散1.2kW
工作温度最高值150°C
产品范围-
产品概述
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode suitable for use in DC-DC converters, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC and DC motor control, robotics and servo controls application.
- X-Class HiPerFET™ power MOSFET
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Isolation voltage 2500V
- High current handling capability
- Low RDS(on)
- High power density
- Easy to mount
- Space savings
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
850V
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.2kW
产品范围
-
电流, Id 连续
90A
漏源接通状态电阻
0.041ohm
阈值栅源电压最大值
5.5V
工作温度最高值
150°C
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.045759