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IXTN200N10L2
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 178A, SOT-227
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| 5+ | CNY331.130 (CNY374.1769) |
| 10+ | CNY310.600 (CNY350.978) |
| 50+ | CNY290.080 (CNY327.7904) |
| 100+ | CNY269.550 (CNY304.5915) |
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXTN200N10L2
库存编号3771792
产品范围LinearL2 Series
技术数据表
通道类型N Channel
电流, Id 连续178A
漏源电压, Vds100V
漏源接通状态电阻11mohm
晶体管封装类型SOT-227
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4.5V
晶体管安装Module
功率耗散830W
工作温度最高值150°C
针脚数4引脚
合规-
产品范围LinearL2 Series
技术规格
通道类型
N Channel
漏源电压, Vds
100V
晶体管封装类型
SOT-227
阈值栅源电压最大值
4.5V
功率耗散
830W
针脚数
4引脚
产品范围
LinearL2 Series
电流, Id 连续
178A
漏源接通状态电阻
11mohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管安装
Module
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.023587