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TC6320TG-G
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 200 V, 200 V, 7 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY10.170 (CNY11.4921) |
| 3300+ | CNY9.970 (CNY11.2661) |
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产品信息
制造商MICROCHIP
制造商产品编号TC6320TG-G
库存编号3491060RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds200V
漏源电压Vds N沟道200V
电流, Id 连续-
漏源电压Vds P沟道200V
在电阻RDS（上）7ohm
连续漏极电流 Id N沟道-
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道7ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道7ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型NSOIC
阈值栅源电压最大值2V
针脚数8引脚
功耗 Pd-
耗散功率N沟道-
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
产品概述
警告
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技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
200V
电流, Id 连续
-
在电阻RDS（上）
7ohm
连续漏极电流 Id P沟道
-
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2V
功耗 Pd
-
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
200V
漏源电压Vds P沟道
200V
连续漏极电流 Id N沟道
-
漏源通态电阻N沟道
7ohm
漏源导通电阻P沟道
7ohm
晶体管封装类型
NSOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
-
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000113