200V 双MOSFET:

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晶体管极性
通道类型
漏源电压Vds N沟道
漏源电压, Vds
漏源电压Vds P沟道
电流, Id 连续
在电阻RDS(上)
连续漏极电流 Id N沟道
连续漏极电流 Id P沟道
漏源通态电阻N沟道
晶体管安装
漏源导通电阻P沟道
Rds(on)测试电压
晶体管封装类型
阈值栅源电压最大值
针脚数
功耗 Pd
耗散功率N沟道
耗散功率P沟道
工作温度最高值
产品范围
合规
汽车质量标准
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
比较包装规格数量
3491060

RoHS

单件(切割供应)
切割卷带
1+
CNY13.530
(CNY15.2889)
25+
CNY11.370
(CNY12.8481)
100+
CNY10.320
(CNY11.6616)
3300+
CNY10.170
(CNY11.4921)
最少:1 / 多个:1
-
互补N与P沟道
200V
-
200V
-
-
-
-
7ohm
-
7ohm
-
NSOIC
-
8引脚
-
-
-
150°C
-
-
-
3491060RL

RoHS

单件(切割供应)
复卷
包装选项
100+
CNY10.320
(CNY11.6616)
3300+
CNY10.170
(CNY11.4921)
最少:100 / 多个:1
互补N与P沟道
互补N与P沟道
200V
200V
200V
-
7ohm
-
-
7ohm
表面安装
7ohm
10V
NSOIC
2V
8引脚
-
-
-
150°C
-
-
-
3128862

RoHS

单件(切割供应)
切割卷带
1+
CNY25.310
(CNY28.6003)
10+
CNY19.600
(CNY22.148)
100+
CNY16.420
(CNY18.5546)
500+
CNY14.950
(CNY16.8935)
1000+
CNY14.010
(CNY15.8313)
最少:1 / 多个:1
-
互补N与P沟道, N沟道
200V
-
200V
-
-
30A
30A
7700µohm
-
7700µohm
-
-
-
10引脚
-
60W
60W
175°C
TrenchFET Series
AEC-Q101
-
3128862RL

RoHS

单件(切割供应)
复卷
包装选项
100+
CNY16.420
(CNY18.5546)
500+
CNY14.950
(CNY16.8935)
1000+
CNY14.010
(CNY15.8313)
最少:100 / 多个:1
互补N与P沟道, N沟道
互补N与P沟道, N沟道
200V
200V
200V
30A
0.0077ohm
30A
30A
7700µohm
表面安装
7700µohm
10V
-
3V
10引脚
60W
60W
60W
175°C
TrenchFET Series
AEC-Q101
AEC-Q101
3643314

RoHS

每个
1+
CNY24.420
(CNY27.5946)
10+
CNY13.830
(CNY15.6279)
100+
CNY13.220
(CNY14.9386)
500+
CNY10.840
(CNY12.2492)
1000+
CNY10.570
(CNY11.9441)
最少:1 / 多个:1
-
N通道
200V
-
200V
-
-
9.1A
9.1A
0.08ohm
-
0.08ohm
-
TO-220FP
-
5引脚
-
21W
21W
150°C
-
-
-
1-5 项,共 5 项
,共 1 页

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