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MRFE6VP100HR5
晶体管, 射频FET, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, NI-780
不再進貨
产品信息
制造商NXP
制造商产品编号MRFE6VP100HR5
库存编号2776256
技术数据表
漏源电压, Vds133VDC
电流, Id 连续-
功率耗散-
工作频率最小值1.8MHz
运行频率最大值2000MHz
晶体管封装类型NI-780
针脚数4引脚
工作温度最高值225°C
通道类型N通道
晶体管安装法兰
产品范围-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
MRFE6VP100HR5 是一款射频功率 LDMOS 晶体管，设计用于 1.8 至 2000MHz 频率范围内的窄带和宽带 ISM、广播和航空应用。它采用恩智浦增强型坚固平台制造，适用于高驻波比应用。
- 宽工作频率范围
- 极其坚固耐用
- 无与伦比的超宽带工作能力
- 集成稳定性增强功能
- 低热阻和集成 ESD 保护电路
- 400nAdc 最大栅源泄漏电流（VGS = 5Vdc，VDS = 0Vdc）
- 133VDC 最小漏源击穿电压（VGS = 0Vdc，ID = 50mA）
- 10μAdc 最大零栅极电压漏极漏电流（VDS = 100Vdc，VGS = 0Vdc）
- 27dB 最大功率增益，70% 典型漏极效率
- NI-780 晶体管外壳样式和 225°C 最高工作温度
技术规格
漏源电压, Vds
133VDC
功率耗散
-
运行频率最大值
2000MHz
针脚数
4引脚
通道类型
N通道
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
电流, Id 连续
-
工作频率最小值
1.8MHz
晶体管封装类型
NI-780
工作温度最高值
225°C
晶体管安装
法兰
MSL
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.014179