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产品概述
The 2N6284G is a NPN Darlington bipolar Power Transistor with monolithic construction, built-in base-emitter shunt resistors, designed for general-purpose amplifier and low-frequency switching applications.
- High DC current gain
- 1.09°C/W Junction-to-case thermal resistance
技术规格
晶体管极性
NPN
功耗 Pd
160W
射频晶体管封装
TO-3
直流电流增益, hFE
100hFE
工作温度最高值
200°C
合规
-
集电极发射电压, Vceo
100V
集电极直流电流
20A
针脚数
2引脚
晶体管安装
通孔
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.01202