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2N7002DW
场效应管, MOSFET, 双路N沟道, 60V, 0.23A, SOT-363-6
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号2N7002DW
库存编号2464117RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds P沟道60V
电流, Id 连续115mA
连续漏极电流 Id N沟道115mA
在电阻RDS（上）1.6ohm
连续漏极电流 Id P沟道115mA
漏源通态电阻N沟道1.6ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道1.6ohm
Rds(on)测试电压5V
晶体管封装类型SOT-363
阈值栅源电压最大值1.76V
针脚数6引脚
功耗 Pd200mW
耗散功率N沟道200mW
耗散功率P沟道200mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The 2N7002DW is an N-channel Enhancement Mode Field Effect Transistor features low on-resistance, low gate threshold voltage, low input capacitance, fast switching speed and low input/output leakage.
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
115mA
连续漏极电流 Id P沟道
115mA
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
5V
阈值栅源电压最大值
1.76V
功耗 Pd
200mW
耗散功率P沟道
200mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
115mA
在电阻RDS（上）
1.6ohm
漏源通态电阻N沟道
1.6ohm
漏源导通电阻P沟道
1.6ohm
晶体管封装类型
SOT-363
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
200mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
-
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找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003629