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FDMQ8205
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 57 V, 57 V
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|---|---|
| 1+ | CNY50.490 (CNY57.0537) |
| 10+ | CNY34.040 (CNY38.4652) |
| 100+ | CNY24.900 (CNY28.137) |
| 500+ | CNY24.410 (CNY27.5833) |
| 1000+ | CNY23.910 (CNY27.0183) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMQ8205
库存编号3253686
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道57V
漏源电压Vds P沟道57V
连续漏极电流 Id N沟道-
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道-
漏源导通电阻P沟道0.147ohm
晶体管封装类型WDFN
针脚数12引脚
耗散功率N沟道-
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围GreenBridge 2 Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
警告
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技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
57V
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
0.147ohm
针脚数
12引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
GreenBridge 2 Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
57V
连续漏极电流 Id N沟道
-
漏源通态电阻N沟道
-
晶体管封装类型
WDFN
耗散功率N沟道
-
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004