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FDS6875
双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 6 A
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDS6875
库存编号9844899RL
技术数据表
通道类型P通道
晶体管极性P沟道
漏源电压Vds N沟道-
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds P沟道20V
电流, Id 连续6A
连续漏极电流 Id N沟道-
在电阻RDS（上）0.024ohm
连续漏极电流 Id P沟道6A
漏源通态电阻N沟道-
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.024ohm
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值800mV
针脚数8引脚
功耗 Pd2W
耗散功率N沟道-
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDS6875 is a dual P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench™ process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices are well suited for portable electronics like load switching, battery charging and protection circuits applications.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- ±8V Gate to source voltage
- -6A Continuous drain current
- -20A Pulsed drain current
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
-
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
6A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.024ohm
阈值栅源电压最大值
800mV
功耗 Pd
2W
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
6A
在电阻RDS（上）
0.024ohm
漏源通态电阻N沟道
-
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
-
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001134