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FDS89141
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDS89141
库存编号2083349RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
漏源电压Vds N沟道100V
电流, Id 连续3.5A
漏源电压Vds P沟道100V
在电阻RDS（上）0.047ohm
连续漏极电流 Id N沟道3.5A
连续漏极电流 Id P沟道3.5A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.047ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.047ohm
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值3.1V
针脚数8引脚
功耗 Pd31W
耗散功率N沟道31W
耗散功率P沟道31W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDS89141 is a dual N-channel shielded gate MOSFET produced using advanced PowerTrench® process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized for RDS (ON), switching performance and ruggedness. The device is suitable for use with synchronous rectifier and primary switch for bridge topology applications.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
- ±20V Gate to source voltage
- 3.5A Continuous drain current
- 18A Pulsed drain current
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
100V
电流, Id 连续
3.5A
在电阻RDS（上）
0.047ohm
连续漏极电流 Id P沟道
3.5A
漏源通态电阻N沟道
0.047ohm
漏源导通电阻P沟道
0.047ohm
阈值栅源电压最大值
3.1V
功耗 Pd
31W
耗散功率P沟道
31W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
100V
漏源电压Vds P沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
3.5A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
31W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000272