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NCV1413BDR2G
双极晶体管阵列, 双NPN, 50 V, 500 mA
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NCV1413BDR2G
库存编号2845425RL
技术数据表
晶体管极性双NPN
集电极发射极电压最大值NPN50V
集电极发射电压, Vceo50V
集电极发射极电压最大值 PNP-
集电极直流电流500mA
连续集电极电流NPN500mA
功耗 Pd-
连续集电极电流NPN-
直流电流增益, hFE1000hFE
耗散功率NPN-
耗散功率PNP-
直流电流增益hFE最小值NPN1000hFE
直流电流增益hFE最小值PNP-
晶体管封装类型SOIC
针脚数16引脚
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
转换频率NPN-
转换频率NPN-
产品范围-
合规-
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
双NPN
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极直流电流
500mA
功耗 Pd
-
直流电流增益, hFE
1000hFE
耗散功率PNP
-
直流电流增益hFE最小值PNP
-
针脚数
16引脚
工作温度最高值
150°C
转换频率NPN
-
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
集电极发射极电压最大值NPN
50V
集电极发射极电压最大值 PNP
-
连续集电极电流NPN
500mA
连续集电极电流NPN
-
耗散功率NPN
-
直流电流增益hFE最小值NPN
1000hFE
晶体管封装类型
SOIC
晶体管安装
表面安装
转换频率NPN
-
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000638