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NSS40302PDR2G
双极晶体管阵列, 互补式NPN和PNP, 40 V, 40 V, 3 A, 3 A, 783 mW
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NSS40302PDR2G
库存编号2774845RL
技术数据表
晶体管极性互补式NPN和PNP
集电极发射极电压最大值NPN40V
集电极发射电压, Vceo40V
集电极直流电流3A
集电极发射极电压最大值 PNP40V
连续集电极电流NPN3A
功耗 Pd783mW
直流电流增益, hFE200hFE
连续集电极电流NPN3A
耗散功率NPN783mW
耗散功率PNP783mW
直流电流增益hFE最小值NPN200hFE
直流电流增益hFE最小值PNP200hFE
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
转换频率NPN100MHz
转换频率NPN100MHz
产品范围-
合规-
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
互补式NPN和PNP
集电极发射电压, Vceo
40V
集电极发射极电压最大值 PNP
40V
功耗 Pd
783mW
连续集电极电流NPN
3A
耗散功率PNP
783mW
直流电流增益hFE最小值PNP
200hFE
针脚数
8引脚
工作温度最高值
150°C
转换频率NPN
100MHz
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
集电极发射极电压最大值NPN
40V
集电极直流电流
3A
连续集电极电流NPN
3A
直流电流增益, hFE
200hFE
耗散功率NPN
783mW
直流电流增益hFE最小值NPN
200hFE
晶体管封装类型
SOIC
晶体管安装
表面安装
转换频率NPN
100MHz
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001