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NTGD3148NT1G
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTGD3148NT1G
库存编号2728025RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续3.5A
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道3.5A
在电阻RDS（上）0.0417ohm
连续漏极电流 Id P沟道3.5A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0417ohm
漏源导通电阻P沟道0.0417ohm
Rds(on)测试电压4.5V
晶体管封装类型TSOP
阈值栅源电压最大值1.5V
针脚数6引脚
功耗 Pd900mW
耗散功率N沟道900mW
耗散功率P沟道900mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
3.5A
连续漏极电流 Id N沟道
3.5A
连续漏极电流 Id P沟道
3.5A
漏源通态电阻N沟道
0.0417ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
阈值栅源电压最大值
1.5V
功耗 Pd
900mW
耗散功率P沟道
900mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
在电阻RDS（上）
0.0417ohm
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.0417ohm
晶体管封装类型
TSOP
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
900mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536