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NXH004P120M3F2PTNG
碳化硅MOSFET, 半桥, 双N通道, 338 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Module
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY1,665.330 (CNY1,881.8229) |
| 5+ | CNY1,649.760 (CNY1,864.2288) |
| 10+ | CNY1,634.180 (CNY1,846.6234) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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品項附註
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技术规格
MOSFET模块配置
半桥
电流, Id 连续
338A
漏源接通状态电阻
5500µohm
针脚数
36引脚
阈值栅源电压最大值
4.4V
工作温度最高值
150°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
双N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
Module
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
1.098kW
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.055629