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RFD3055LESM9A
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 11 A, 0.107 ohm, TO-252AA, 表面安装
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号RFD3055LESM9A
库存编号2454079RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续11A
漏源接通状态电阻0.107ohm
晶体管封装类型TO-252AA
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压5V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散38W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
The RFD3055LESM9A is a N-channel enhancement-mode Power MOSFETs manufactured using the latest manufacturing process technology. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. It is designed for use in applications such as switching regulators, switching converters and relay drivers. It can be operated directly from integrated circuits.
- Temperature compensating PSPICE® model
- Peak current vs. pulse width curve
- UIS Rating curve
警告
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
11A
晶体管封装类型
TO-252AA
Rds(on)测试电压
5V
功率耗散
38W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.107ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00026