打印页面
BSM120D12P2C005
碳化硅双极(BJT)单晶体管, N沟道, 120 A, 1.2 kV, 2.7 V
可订购
制造商标准交货时间：47 周
有货时请通知我
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY2,799.910 (CNY3,163.8983) |
| 5+ | CNY2,743.920 (CNY3,100.6296) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY2,799.91 (CNY3,163.90 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
The BSM120D12P2C005 is a N-channel SiC Power Module designed for use with inverter, converter, photovoltaic, wind power generation and induction heating equipment applications. The device offers low surge, low switching loss and high-speed switching possible, reduced temperature dependence.
技术规格
MOSFET模块配置
半桥
电流, Id 连续
120A
漏源接通状态电阻
-
针脚数
10引脚
阈值栅源电压最大值
2.7V
工作温度最高值
150°C
SVHC(高度关注物质)
Lead (23-Jan-2024)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
Module
Rds(on)测试电压
-
功率耗散
780W
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85359000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.279413