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120A 碳化硅(SiC)MOSFET和模块:
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工程师
制造商
MOSFET模块配置
通道类型
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
针脚数
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
工作温度最高值
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY527.490 (CNY596.0637)5+ CNY474.740 (CNY536.4562)10+ CNY446.610 (CNY504.6693)50+ CNY436.790 (CNY493.5727) | 合计:CNY527.49 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 120A | 750V | 5.9mohm | TO-247 | 4引脚 | 12V | 6V | 714W | 175°C | |||||
每个 | 1+ CNY649.990 (CNY734.4887)5+ CNY585.000 (CNY661.050)10+ CNY550.330 (CNY621.8729)50+ CNY538.230 (CNY608.1999) | 合计:CNY649.99 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 120A | 1.2kV | 8600µohm | TO-247 | 4引脚 | 12V | 4.7V | 789W | 175°C | |||||
每个 | 1+ CNY556.990 (CNY629.3987)5+ CNY548.900 (CNY620.257)10+ CNY540.810 (CNY611.1153)50+ CNY532.720 (CNY601.9736) | 合计:CNY556.99 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 120A | 650V | 6700µohm | TO-247 | 4引脚 | 12V | 4.7V | 789W | 175°C | |||||
每个 | 1+ CNY1,718.750 (CNY1,942.1875)5+ CNY1,531.250 (CNY1,730.3125)10+ CNY1,343.750 (CNY1,518.4375)50+ CNY1,316.880 (CNY1,488.0744) | 合计:CNY1,718.75 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 120A | 1.2kV | 0.0223ohm | TO-247 | 3引脚 | 18V | 4V | 340W | 175°C | |||||
每个 | 1+ CNY553.230 (CNY625.1499)5+ CNY492.870 (CNY556.9431)10+ CNY432.500 (CNY488.725)50+ CNY345.960 (CNY390.9348)100+ CNY259.410 (CNY293.1333) | 合计:CNY553.23 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 120A | 1.2kV | 0.0223ohm | TO-247 | 4引脚 | 18V | 4V | 340W | 175°C | |||||
每个 | 1+ CNY1,718.750 (CNY1,942.1875)5+ CNY1,531.250 (CNY1,730.3125)10+ CNY1,343.750 (CNY1,518.4375)50+ CNY1,316.880 (CNY1,488.0744) | 合计:CNY1,718.75 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 120A | 1.2kV | 0.0223ohm | TO-247 | 4引脚 | 18V | 4V | 340W | 175°C | |||||
每个 | 1+ CNY2,799.910 (CNY3,163.8983)5+ CNY2,743.920 (CNY3,100.6296) | 合计:CNY2,799.91 最少：1 / 多个：1 | 半桥 | N通道 | 120A | 1.2kV | - | Module | 10引脚 | - | 2.7V | 780W | 150°C | |||||
