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HP8MA2TB1
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 18 A, 18 A, 0.0075 ohm
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| 1+ | CNY13.220 (CNY14.9386) |
| 10+ | CNY9.420 (CNY10.6446) |
| 100+ | CNY7.470 (CNY8.4411) |
| 500+ | CNY6.290 (CNY7.1077) |
| 1000+ | CNY5.580 (CNY6.3054) |
| 5000+ | CNY5.480 (CNY6.1924) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号HP8MA2TB1
库存编号2706747
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道18A
连续漏极电流 Id P沟道18A
漏源通态电阻N沟道0.0075ohm
漏源导通电阻P沟道0.0075ohm
晶体管封装类型HSOP
针脚数8引脚
耗散功率N沟道7W
耗散功率P沟道7W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
18A
漏源导通电阻P沟道
0.0075ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
7W
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
18A
漏源通态电阻N沟道
0.0075ohm
晶体管封装类型
HSOP
耗散功率N沟道
7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005577