打印页面
HP8MA2TB1
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 18 A, 18 A, 0.0096 ohm
可订购
制造商标准交货时间：32 周
有货时请通知我
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY13.800 (CNY15.594) |
| 10+ | CNY9.760 (CNY11.0288) |
| 100+ | CNY8.090 (CNY9.1417) |
| 500+ | CNY6.980 (CNY7.8874) |
| 1000+ | CNY5.850 (CNY6.6105) |
| 5000+ | CNY5.700 (CNY6.441) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY13.80 (CNY15.59 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号HP8MA2TB1
库存编号2706747
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道18A
连续漏极电流 Id P沟道18A
漏源通态电阻N沟道0.0096ohm
漏源导通电阻P沟道0.0179ohm
晶体管封装类型HSOP
针脚数8引脚
耗散功率N沟道7W
耗散功率P沟道7W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
18A
漏源导通电阻P沟道
0.0179ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
7W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
18A
漏源通态电阻N沟道
0.0096ohm
晶体管封装类型
HSOP
耗散功率N沟道
7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005577