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RY7P250BMTBC
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 300 A, 1860 µohm, DFN8080, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY63.560 (CNY71.8228) |
| 10+ | CNY43.300 (CNY48.929) |
| 100+ | CNY33.790 (CNY38.1827) |
| 500+ | CNY33.120 (CNY37.4256) |
| 1000+ | CNY32.440 (CNY36.6572) |
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产品概述
RY7P250BMTBC is a wide-SOA power MOSFET. It is a power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for Hot Swap Controller (HSC).
- Low on - resistance, high power package
- 100% Rg and UIS tested
- Drain - source breakdown voltage is 100V min at VGS = 0V, ID = 1mA, Ta = 25°C
- Breakdown voltage temperature coefficient is 58.4mV/°C typ at ID = 1mA, referenced to 25°C
- Gate - source leakage current is ±500nA max at VGS = ±20V, VDS = 0V, Ta = 25°C
- Static drain - source on - state resistance is 1.43mohm typ at VGS = 10V, ID = 50A
- Total gate charge is 170nC typ at VDD ⋍ 50V, ID = 50A, VGS = 10V
- Power dissipation is 340W at Ta = 25°C
- DFN8080-8S package
- Operating junction and storage temperature range from -55 to +175°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
300A
晶体管封装类型
DFN8080
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
340W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
1860µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000006