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SCT2H12NZGC11
碳化硅功率MOSFET, N沟道, 3.7 A, 1.7 kV, 1.15欧姆, 18V, 2.8 V
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY29.570 (CNY33.4141) |
| 100+ | CNY28.000 (CNY31.640) |
| 500+ | CNY27.630 (CNY31.2219) |
| 1000+ | CNY27.620 (CNY31.2106) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号SCT2H12NZGC11
库存编号2531101
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续3.7A
漏源电压, Vds1.7kV
漏源接通状态电阻1.15ohm
晶体管封装类型TO-3PFM
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值2.8V
功率耗散35W
工作温度最高值175°C
产品范围-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (23-Jan-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
3.7A
漏源接通状态电阻
1.15ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
2.8V
工作温度最高值
175°C
MSL
MSL 1 -无限制
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.7kV
晶体管封装类型
TO-3PFM
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
35W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (23-Jan-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.011405