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SH8KE6TB1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 100 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.058 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY8.160 (CNY9.2208) |
| 500+ | CNY6.760 (CNY7.6388) |
| 1000+ | CNY5.850 (CNY6.6105) |
| 5000+ | CNY5.740 (CNY6.4862) |
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多件: 1
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号SH8KE6TB1
库存编号4064775RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续4.5A
漏源电压Vds P沟道100V
在电阻RDS（上）0.045ohm
连续漏极电流 Id N沟道4.5A
连续漏极电流 Id P沟道4.5A
漏源通态电阻N沟道0.058ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道-
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型SOP
阈值栅源电压最大值2.5V
功耗 Pd2W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
100V
电流, Id 连续
4.5A
在电阻RDS（上）
0.045ohm
连续漏极电流 Id P沟道
4.5A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
100V
漏源电压Vds P沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
4.5A
漏源通态电阻N沟道
0.058ohm
漏源导通电阻P沟道
-
晶体管封装类型
SOP
功耗 Pd
2W
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00005