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SP8K52HZGTB
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.12 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY7.530 (CNY8.5089) |
| 250+ | CNY7.200 (CNY8.136) |
| 500+ | CNY6.260 (CNY7.0738) |
| 1000+ | CNY5.370 (CNY6.0681) |
| 2500+ | CNY5.100 (CNY5.763) |
| 5000+ | CNY4.940 (CNY5.5822) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号SP8K52HZGTB
库存编号3580402RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
漏源电压Vds N沟道100V
电流, Id 连续3A
漏源电压Vds P沟道100V
在电阻RDS（上）0.12ohm
连续漏极电流 Id N沟道3A
连续漏极电流 Id P沟道3A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.12ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.12ohm
晶体管封装类型SOP
阈值栅源电压最大值2.5V
针脚数8引脚
功耗 Pd2W
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
100V
电流, Id 连续
3A
在电阻RDS（上）
0.12ohm
连续漏极电流 Id P沟道
3A
漏源通态电阻N沟道
0.12ohm
漏源导通电阻P沟道
0.12ohm
阈值栅源电压最大值
2.5V
功耗 Pd
2W
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
100V
漏源电压Vds P沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
3A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOP
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
MSL
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00005