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SKM200GB123D
IGBT模块, 半桥, 200 A, 3 V, 1.38 kW, 150 °C, SEMITRANS 3
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
已停产
技术规格
IGBT配置
半桥
集电极-发射极饱和电压
3V
工作温度最高值
150°C
IGBT端接
螺柱
IGBT技术
NPT IGBT [超快]
产品范围
Startech Laptop Privacy Filter
连续集电极电流
200A
功率耗散
1.38kW
晶体管封装类型
SEMITRANS 3
最大集电极发射电压
1.2kV
晶体管安装
面板
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (15-Jun-2015)
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
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产品合规证书
重量（千克）：.43