打印页面
TK6R9P08QM,RQ(S2
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 83 A, 0.0055 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
2,437 有货
需要更多？
2437 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY11.200 (CNY12.656) |
| 10+ | CNY8.450 (CNY9.5485) |
| 100+ | CNY6.370 (CNY7.1981) |
| 500+ | CNY5.310 (CNY6.0003) |
| 1000+ | CNY4.230 (CNY4.7799) |
| 5000+ | CNY3.940 (CNY4.4522) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY11.20 (CNY12.66 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商TOSHIBA
制造商产品编号TK6R9P08QM,RQ(S2
库存编号4173147
产品范围U-MOSX-H Series
也称为TK6R9P08QM, TK6R9P08QM,RQ
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续83A
漏源接通状态电阻0.0055ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.5V
功率耗散89W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围U-MOSX-H Series
合规-
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
83A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
89W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
0.0055ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.5V
针脚数
3引脚
产品范围
U-MOSX-H Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00033