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SI4532CDY-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4532CDY-T1-GE3
库存编号1779268RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
电流, Id 连续6A
连续漏极电流 Id N沟道6A
在电阻RDS（上）0.038ohm
连续漏极电流 Id P沟道6A
漏源通态电阻N沟道0.038ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.038ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1V
晶体管封装类型SOIC
功耗 Pd2.78W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2.78W
耗散功率P沟道2.78W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
SI4532CDY-T1-GE3 是一款30V, 双N和P沟道TrenchFET® 功率MOSFET。 适用于DC-DC转换器和负载开关应用。表面安装LITTLE FOOT®功率MOSFET采用集成电路和小信号封装, 经过优化, 提供热传导能力, 适用于功率器件。
- 无卤素, 符合IEC 61249-2-21标准
- 100％Rg经过测试
- 100％UIS经过测试
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
6A
连续漏极电流 Id P沟道
6A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2.78W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
电流, Id 连续
6A
在电阻RDS（上）
0.038ohm
漏源通态电阻N沟道
0.038ohm
漏源导通电阻P沟道
0.038ohm
阈值栅源电压最大值
1V
功耗 Pd
2.78W
耗散功率N沟道
2.78W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005