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SI4532CDY-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4532CDY-T1-GE3
库存编号1779268
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道6A
连续漏极电流 Id P沟道6A
漏源通态电阻N沟道0.038ohm
漏源导通电阻P沟道0.038ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2.78W
耗散功率P沟道2.78W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
SI4532CDY-T1-GE3 是一款30V, 双N和P沟道TrenchFET® 功率MOSFET。 适用于DC-DC转换器和负载开关应用。表面安装LITTLE FOOT®功率MOSFET采用集成电路和小信号封装, 经过优化, 提供热传导能力, 适用于功率器件。
- 无卤素, 符合IEC 61249-2-21标准
- 100％Rg经过测试
- 100％UIS经过测试
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
6A
漏源导通电阻P沟道
0.038ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2.78W
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
6A
漏源通态电阻N沟道
0.038ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2.78W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005