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SI5517DU-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.032 ohm
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI5517DU-T1-GE3
库存编号3772766RL
产品范围Trench Series
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
晶体管极性互补N与P沟道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续6A
漏源电压Vds P沟道20V
在电阻RDS（上）0.032ohm
连续漏极电流 Id N沟道6A
连续漏极电流 Id P沟道6A
漏源通态电阻N沟道0.032ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.032ohm
阈值栅源电压最大值1V
晶体管封装类型PowerPAK
针脚数8引脚
功耗 Pd2.3W
耗散功率N沟道2.3W
耗散功率P沟道2.3W
工作温度最高值150°C
产品范围Trench Series
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
SI5517DU-T1-GE3 的替代之选
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技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
6A
在电阻RDS（上）
0.032ohm
连续漏极电流 Id P沟道
6A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.032ohm
晶体管封装类型
PowerPAK
功耗 Pd
2.3W
耗散功率P沟道
2.3W
产品范围
Trench Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
6A
漏源通态电阻N沟道
0.032ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
2.3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
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产品合规证书
重量（千克）：.000073