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SI7288DP-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0156 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7288DP-T1-GE3
库存编号2646392RL
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压, Vds40V
漏源电压Vds P沟道40V
电流, Id 连续20A
连续漏极电流 Id N沟道20A
在电阻RDS（上）0.0156ohm
连续漏极电流 Id P沟道20A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0156ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.0156ohm
阈值栅源电压最大值2.8V
晶体管封装类型PowerPAK SO
针脚数8引脚
功耗 Pd15.6W
耗散功率N沟道15.6W
耗散功率P沟道15.6W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
40V
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
20A
连续漏极电流 Id P沟道
20A
漏源通态电阻N沟道
0.0156ohm
漏源导通电阻P沟道
0.0156ohm
晶体管封装类型
PowerPAK SO
功耗 Pd
15.6W
耗散功率P沟道
15.6W
产品范围
TrenchFET Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
40V
电流, Id 连续
20A
在电阻RDS（上）
0.0156ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2.8V
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
15.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000742