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SI7540ADP-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0115 ohm
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|---|---|
| 1+ | CNY15.630 (CNY17.6619) |
| 10+ | CNY10.370 (CNY11.7181) |
| 100+ | CNY7.920 (CNY8.9496) |
| 500+ | CNY6.310 (CNY7.1303) |
| 1000+ | CNY6.240 (CNY7.0512) |
| 5000+ | CNY6.210 (CNY7.0173) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7540ADP-T1-GE3
库存编号2707201
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道8A
连续漏极电流 Id P沟道8A
漏源通态电阻N沟道0.0115ohm
漏源导通电阻P沟道0.0115ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.6W
耗散功率P沟道1.6W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
N 沟道和 P 沟道 20V（D-S）MOSFET，适用于 DC/DC 转换器、同步降压转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动开关。
- TrenchFET® power MOSFET
- 热增强型 PowerPAK®
- 100% Rg经过测试
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
8A
漏源导通电阻P沟道
0.0115ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.6W
产品范围
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
8A
漏源通态电阻N沟道
0.0115ohm
晶体管封装类型
PowerPAK SO
耗散功率N沟道
1.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001