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SI7540ADP-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0115 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7540ADP-T1-GE3
库存编号2707201RL
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
晶体管极性互补N与P沟道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续8A
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道8A
在电阻RDS（上）0.0115ohm
连续漏极电流 Id P沟道8A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0115ohm
漏源导通电阻P沟道0.0115ohm
Rds(on)测试电压4.5V
晶体管封装类型PowerPAK SO
阈值栅源电压最大值1.4V
功耗 Pd1.6W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.6W
耗散功率P沟道1.6W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
N 沟道和 P 沟道 20V（D-S）MOSFET，适用于 DC/DC 转换器、同步降压转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动开关。
- TrenchFET® Power MOSFET
- 热增强型 PowerPAK®
- 100% Rg经过测试
警告
市场对该产品的需求导致交货期延长。交货日期可能会有变动。产品不享受折扣。
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
8A
连续漏极电流 Id N沟道
8A
连续漏极电流 Id P沟道
8A
漏源通态电阻N沟道
0.0115ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
阈值栅源电压最大值
1.4V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.6W
产品范围
TrenchFET Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
在电阻RDS（上）
0.0115ohm
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.0115ohm
晶体管封装类型
PowerPAK SO
功耗 Pd
1.6W
耗散功率N沟道
1.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000226