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SI9926CDY-T1-E3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 8 A, 0.018 ohm
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI9926CDY-T1-E3
库存编号1684059RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续8A
漏源电压Vds P沟道-
在电阻RDS（上）0.018ohm
连续漏极电流 Id N沟道8A
连续漏极电流 Id P沟道-
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.018ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值1.5V
针脚数8引脚
功耗 Pd3.1W
耗散功率N沟道3.1W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The SI9926CDY-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for DC-to-DC converter application.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% UIS tested
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
8A
在电阻RDS（上）
0.018ohm
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源通态电阻N沟道
0.018ohm
漏源导通电阻P沟道
-
阈值栅源电压最大值
1.5V
功耗 Pd
3.1W
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id N沟道
8A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
3.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004