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SI9926CDY-T1-E3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 8 A, 0.018 ohm
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI9926CDY-T1-E3
库存编号1684059RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道-
电流, Id 连续8A
连续漏极电流 Id N沟道8A
在电阻RDS（上）0.018ohm
连续漏极电流 Id P沟道-
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.018ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道-
阈值栅源电压最大值1.5V
晶体管封装类型SOIC
功耗 Pd3.1W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道3.1W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The SI9926CDY-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for DC-to-DC converter application.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% UIS tested
警告
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技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
20V
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id N沟道
8A
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源通态电阻N沟道
0.018ohm
漏源导通电阻P沟道
-
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
20V
电流, Id 连续
8A
在电阻RDS（上）
0.018ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
阈值栅源电压最大值
1.5V
功耗 Pd
3.1W
耗散功率N沟道
3.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SI9926CDY-T1-E3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004