打印页面
SQ4917EY-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.04 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQ4917EY-T1_GE3
库存编号3470711RL
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
电流, Id 连续8A
漏源电压Vds P沟道60V
在电阻RDS（上）0.04ohm
连续漏极电流 Id N沟道8A
连续漏极电流 Id P沟道8A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.04ohm
漏源导通电阻P沟道0.04ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值2V
功耗 Pd5W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道5W
耗散功率P沟道5W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
SQ4917EY-T1_GE3 的替代之选
找到 2 件产品
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
8A
在电阻RDS（上）
0.04ohm
连续漏极电流 Id P沟道
8A
漏源通态电阻N沟道
0.04ohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
5W
产品范围
TrenchFET Series
汽车质量标准
AEC-Q101
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
8A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.04ohm
晶体管封装类型
SOIC
功耗 Pd
5W
耗散功率N沟道
5W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001