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SQUN702E-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, N沟道, 200 V, 200 V, 30 A, 30 A, 0.0077 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQUN702E-T1_GE3
库存编号3128862
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型互补N与P沟道, N沟道
漏源电压Vds N沟道200V
漏源电压Vds P沟道200V
连续漏极电流 Id N沟道30A
连续漏极电流 Id P沟道30A
漏源通态电阻N沟道0.0077ohm
漏源导通电阻P沟道0.0077ohm
晶体管封装类型-
针脚数10引脚
耗散功率N沟道60W
耗散功率P沟道60W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)0
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
互补N与P沟道, N沟道
漏源电压Vds P沟道
200V
连续漏极电流 Id P沟道
30A
漏源导通电阻P沟道
0.0077ohm
针脚数
10引脚
耗散功率P沟道
60W
产品范围
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
200V
连续漏极电流 Id N沟道
30A
漏源通态电阻N沟道
0.0077ohm
晶体管封装类型
-
耗散功率N沟道
60W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
0
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:0
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.015