AS4C256M16D4-83BCN

AS4C256M16D4-83BCN 是 256M x 16 位 DDR4 同步 DRAM（SDRAM）。DDR4 SDRAM 是一种高速动态随机存取存储器，内部有 8 个存储体（2 个存储体组，每个组有 4 个存储体）。DDR4 SDRAM 采用 8n 预取结构来实现高速运行。8n 预取结构与接口相结合，可在 I/O 引脚的每个时钟周期传输两个数据字。DDR4 SDRAM 的单次读写操作包括在内部 DRAM 内核进行一次 8n 位宽、4 个时钟周期的数据传输，以及在 I/O 引脚进行 8 次相应的 n 位宽、一个半时钟周期的数据传输。DDR4 SDRAM 的读写操作以突发为导向，从选定位置开始，按编程顺序持续进行 8 个突发或 4 个 "斩波 "突发。操作从注册激活命令开始，然后是读取或写入命令。

• 符合 JEDEC 标准，支持 JEDEC 时钟抖动规范、自动刷新和自刷新
• 电源： VDD 和 VDDQ = +1.2V ±0.06V, VPP = +2.5V -0.125V / +0.25V
• 双向差分数据选通、DQS 和 DQS#、差分时钟、CK 和 CK#
• 8 个内部存储体：2 组，每组 4 个存储体，按存储体组分开的 IO 栅极结构
• 8n-bit预取架构，预充电和主动掉电，自动刷新和自刷新
• 低功耗自动自我刷新 (LPASR)、自我刷新中止、细粒度刷新
• 写入校平、通过 MPR 进行 DQ 训练、命令/地址 (CA) 奇偶校验、边界扫描模式
• 每个 DRAM 寻址能力 (PDA)、输出驱动器阻抗控制、动态芯片上终端 (ODT)
• ZQ 校准、命令/地址延迟 (CAL)、异步复位、DLL 启用/禁用
• 最大时钟频率 1200MHz，96-ball FBGA 封装，商用（扩展）温度范围 0 至 95°C