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双MOSFET:
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晶体管极性
通道类型
漏源电压Vds N沟道
漏源电压, Vds
电流, Id 连续
在电阻RDS（上）
连续漏极电流 Id N沟道
漏源通态电阻N沟道
晶体管安装
Rds(on)测试电压
晶体管封装类型
阈值栅源电压最大值
针脚数
功耗 Pd
耗散功率N沟道
工作温度最高值
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY4.940 (CNY5.5822)50+ CNY4.100 (CNY4.633)100+ CNY3.240 (CNY3.6612)500+ CNY2.270 (CNY2.5651)1500+ CNY2.230 (CNY2.5199) | 最少：5 / 多个：5 | - | N通道 | 30V | - | - | - | 1A | 0.364ohm | - | - | TSMT | - | 6引脚 | - | 900mW | 150°C | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY3.240 (CNY3.6612)500+ CNY2.270 (CNY2.5651)1500+ CNY2.230 (CNY2.5199) | 最少：100 / 多个：1 | N沟道 | N通道 | 30V | 30V | 1A | 0.364ohm | 1A | 0.364ohm | 表面安装 | 4.5V | TSMT | 1.5V | 6引脚 | 900mW | 900mW | 150°C | |||||
