双MOSFET:

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晶体管极性
通道类型
漏源电压Vds N沟道
漏源电压, Vds
漏源电压Vds P沟道
电流, Id 连续
在电阻RDS(上)
连续漏极电流 Id N沟道
连续漏极电流 Id P沟道
漏源通态电阻N沟道
晶体管安装
漏源导通电阻P沟道
Rds(on)测试电压
晶体管封装类型
阈值栅源电压最大值
针脚数
功耗 Pd
耗散功率N沟道
耗散功率P沟道
工作温度最高值
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
比较包装规格数量
4169022

RoHS

单件(切割供应)
切割卷带
1+
CNY5.960
(CNY6.7348)
10+
CNY4.800
(CNY5.424)
100+
CNY3.240
(CNY3.6612)
500+
CNY2.540
(CNY2.8702)
1000+
CNY2.280
(CNY2.5764)
更多价格信息...
最少:1 / 多个:1
-
N和P沟道
16V
-
16V
-
-
3.5A
2.5A
0.058ohm
-
0.125ohm
-
SOT-26
-
6引脚
-
14W
1.14W
150°C
XP2531 Series
4169022RL

RoHS

单件(切割供应)
复卷
包装选项
100+
CNY3.240
(CNY3.6612)
500+
CNY2.540
(CNY2.8702)
1000+
CNY2.280
(CNY2.5764)
5000+
CNY2.000
(CNY2.260)
最少:100 / 多个:1
-
N和P沟道
16V
-
16V
-
-
3.5A
2.5A
0.058ohm
-
0.125ohm
-
SOT-26
-
6引脚
-
14W
1.14W
150°C
XP2531 Series
3944183

RoHS

单件(切割供应)
切割卷带
1+
CNY9.490
(CNY10.7237)
10+
CNY6.380
(CNY7.2094)
100+
CNY4.440
(CNY5.0172)
500+
CNY4.230
(CNY4.7799)
1000+
CNY4.000
(CNY4.520)
更多价格信息...
最少:1 / 多个:1
-
补充双N和双P沟道
30V
-
30V
-
-
2.17A
2.17A
0.125ohm
-
0.125ohm
-
SOIC
-
8引脚
-
870mW
870mW
150°C
-
3944183RL

RoHS

单件(切割供应)
复卷
包装选项
100+
CNY4.440
(CNY5.0172)
500+
CNY4.230
(CNY4.7799)
1000+
CNY4.000
(CNY4.520)
5000+
CNY3.780
(CNY4.2714)
最少:100 / 多个:1
补充双N和双P沟道
补充双N和双P沟道
30V
30V
30V
2.17A
0.125ohm
2.17A
2.17A
0.125ohm
表面安装
0.125ohm
10V
SOIC
3V
8引脚
870mW
870mW
870mW
150°C
-
1-4 项,共 4 项
,共 1 页

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