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双MOSFET:
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晶体管极性
通道类型
漏源电压, Vds
漏源电压Vds P沟道
电流, Id 连续
在电阻RDS（上）
连续漏极电流 Id P沟道
晶体管安装
漏源导通电阻P沟道
Rds(on)测试电压
晶体管封装类型
阈值栅源电压最大值
针脚数
功耗 Pd
耗散功率P沟道
工作温度最高值
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY1.960 (CNY2.2148) | 最少：100 / 多个：1 | P沟道 | P通道 | 12V | 12V | 700mA | 0.221ohm | 700mA | 表面安装 | 0.221ohm | 4.5V | SC-70 | 600mV | 6引脚 | 300mW | 300mW | 150°C | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY2.990 (CNY3.3787)10+ CNY2.630 (CNY2.9719)100+ CNY1.960 (CNY2.2148) | 最少：5 / 多个：5 | - | P通道 | - | 12V | - | - | 700mA | - | 0.221ohm | - | SC-70 | - | 6引脚 | - | 300mW | 150°C | |||||
