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双MOSFET:
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漏源电压Vds N沟道
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连续漏极电流 Id N沟道
连续漏极电流 Id P沟道
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晶体管封装类型
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功耗 Pd
耗散功率N沟道
耗散功率P沟道
工作温度最高值
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY4.500 (CNY5.085)10+ CNY2.830 (CNY3.1979)100+ CNY2.600 (CNY2.938)500+ CNY2.500 (CNY2.825)1000+ CNY1.330 (CNY1.5029) | 最少：5 / 多个：5 | - | N通道 | 20V | - | 20V | - | - | 8A | 8A | 0.011ohm | - | 0.011ohm | - | V-DFN2050 | - | 4引脚 | - | 920mW | 920mW | 150°C | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY2.600 (CNY2.938)500+ CNY2.500 (CNY2.825)1000+ CNY1.330 (CNY1.5029) | 最少：100 / 多个：1 | N沟道 | N通道 | 20V | 20V | 20V | 8A | 0.011ohm | 8A | 8A | 0.011ohm | 表面安装 | 0.011ohm | 4.5V | V-DFN2050 | 1V | 4引脚 | 920mW | 920mW | 920mW | 150°C | |||||
