氮化镓(GaN) FET:
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漏源电压, Vds
电流, Id 连续
漏源接通状态电阻
栅极电荷(典型值)
晶体管封装类型
晶体管安装
针脚数
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||
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单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY49.580 (CNY56.0254)10+ CNY48.560 (CNY54.8728)100+ CNY46.130 (CNY52.1269)500+ CNY42.820 (CNY48.3866)1000+ CNY42.020 (CNY47.4826) | 最少:1 / 多个:1 | 650V | 29A | 0.06ohm | 6.2nC | DFN8080 | 表面安装 | 8引脚 | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 10+ CNY48.560 (CNY54.8728)100+ CNY46.130 (CNY52.1269)500+ CNY42.820 (CNY48.3866)1000+ CNY42.020 (CNY47.4826) | 最少:10 / 多个:1 | 650V | 29A | 0.06ohm | 6.2nC | DFN8080 | 表面安装 | 8引脚 |