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栅源击穿电压最大值
MOSFET模块配置
漏源电压, Vds
零闸电压漏极电流最大值
电流, Id 连续
晶体管封装类型
漏源接通状态电阻
引脚数
功率耗散
工作温度最高值
通道类型
晶体管安装
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
包装
未使用筛选条件
0 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY84.380 (CNY95.3494)5+ CNY66.020 (CNY74.6026)10+ CNY47.650 (CNY53.8445)50+ CNY45.260 (CNY51.1438)100+ CNY42.870 (CNY48.4431)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | - | 单 | 650V | - | 32A | TO-247 | 0.068ohm | - | 190W | 175°C | N通道 | 3引脚 | - | 2V | 11.5V | |||||
每个 | 5+ CNY3.150 (CNY3.5595)10+ CNY1.960 (CNY2.2148)100+ CNY0.942 (CNY1.0645)500+ CNY0.823 (CNY0.930)1000+ CNY0.695 (CNY0.7854)更多价格信息... | 最少：5 / 多个：5 | 35V | - | 35V | 20mA | - | TO-92 | - | 3引脚 | 625mW | 150°C | N通道 | 3引脚 | 通孔 | - | - | |||||
