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650V MOSFET模块:
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通道类型
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
晶体管安装
功率耗散
工作温度最高值
针脚数
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY247.640 (CNY279.8332) | 合计:CNY247.64 最少：1 / 多个：1 | N通道 | 76A | 650V | 0.03ohm | - | 10V | 5V | - | 595W | 150°C | - | - | |||||
每个 | 1+ CNY398.020 (CNY449.7626)5+ CNY365.900 (CNY413.467)10+ CNY333.770 (CNY377.1601)50+ CNY322.350 (CNY364.2555) | 合计:CNY398.02 最少：1 / 多个：1 | N Channel | 170A | 650V | - | SOT-227 | 10V | 5V | Module | 1.17kW | 150°C | 4引脚 | HiPERFET X2 Series | |||||
每个 | 1+ CNY334.970 (CNY378.5161)5+ CNY295.850 (CNY334.3105)10+ CNY256.720 (CNY290.0936)50+ CNY247.210 (CNY279.3473)100+ CNY237.690 (CNY268.5897) | 合计:CNY334.97 最少：1 / 多个：1 | N Channel | - | 650V | - | - | 10V | - | - | - | 150°C | - | - | |||||
每个 | 1+ CNY448.560 (CNY506.8728)5+ CNY409.620 (CNY462.8706)10+ CNY370.680 (CNY418.8684)50+ CNY350.280 (CNY395.8164)100+ CNY329.870 (CNY372.7531) | 合计:CNY448.56 最少：1 / 多个：1 | N Channel | - | 650V | 0.017ohm | - | 10V | - | - | - | - | - | HiPerFET X2 Series | |||||
每个 | 1+ CNY402.160 (CNY454.4408)5+ CNY386.350 (CNY436.5755)10+ CNY370.540 (CNY418.7102)50+ CNY360.810 (CNY407.7153) | 合计:CNY402.16 最少：1 / 多个：1 | N通道 | 30A | 650V | 0.0394ohm | - | 10V | 4.45V | - | 20mW | 150°C | - | EasyPACK CoolMOS Series | |||||
