打印页面
IXFN170N65X2
场效应管, MOSFET, N沟道, 650V, 170A, SOT-227
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
284 有货
需要更多？
284 件可于 5-6 个工作日内送达(美国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY382.720 (CNY432.4736) |
| 5+ | CNY363.000 (CNY410.190) |
| 10+ | CNY343.270 (CNY387.8951) |
| 50+ | CNY323.540 (CNY365.6002) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY382.72 (CNY432.47 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
技术规格
通道类型
N Channel
漏源电压, Vds
650V
Rds(on)测试电压
10V
晶体管安装
Module
工作温度最高值
150°C
合规
-
电流, Id 连续
170A
晶体管封装类型
SOT-227
阈值栅源电压最大值
5V
功率耗散
1.17kW
针脚数
4引脚
产品范围
HiPERFET X2 Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：0
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.044453