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IXFN170N65X2
场效应管, MOSFET, N沟道, 650V, 170A, SOT-227
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY375.180 (CNY423.9534) |
| 5+ | CNY358.770 (CNY405.4101) |
| 10+ | CNY342.360 (CNY386.8668) |
| 50+ | CNY325.950 (CNY368.3235) |
包装规格：每个
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXFN170N65X2
库存编号3771784
技术数据表
通道类型N Channel
电流, Id 连续170A
漏源电压, Vds650V
晶体管封装类型SOT-227
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5V
晶体管安装Module
功率耗散1.17kW
工作温度最高值150°C
针脚数4引脚
合规-
产品范围HiPERFET X2 Series
技术规格
通道类型
N Channel
漏源电压, Vds
650V
Rds(on)测试电压
10V
晶体管安装
Module
工作温度最高值
150°C
合规
-
电流, Id 连续
170A
晶体管封装类型
SOT-227
阈值栅源电压最大值
5V
功率耗散
1.17kW
针脚数
4引脚
产品范围
HiPERFET X2 Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：0
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.044453