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MOSFET模块:
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制造商
通道类型
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
漏源接通状态电阻
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
工作温度最高值
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY227.630 (CNY257.2219)5+ CNY216.480 (CNY244.6224)10+ CNY205.330 (CNY232.0229)50+ CNY194.180 (CNY219.4234)100+ CNY185.650 (CNY209.7845) | 最少：1 / 多个：1 | N通道 | 420A | 100V | 0.0023ohm | 10V | 5V | 1.07kW | 175°C | GigaMOS HiperFET | |||||
每个 | 1+ CNY320.020 (CNY361.6226)5+ CNY306.170 (CNY345.9721)10+ CNY292.320 (CNY330.3216)50+ CNY278.470 (CNY314.6711)100+ CNY264.620 (CNY299.0206) | 最少：1 / 多个：1 | N通道 | 188A | 200V | 0.00105ohm | 10V | 4.5V | 1.07kW | 175°C | - | |||||
