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112A 碳化硅(SiC)MOSFET和模块:
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制造商
MOSFET模块配置
通道类型
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
针脚数
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
工作温度最高值
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY263.220 (CNY297.4386)5+ CNY237.170 (CNY268.0021)10+ CNY211.100 (CNY238.543)50+ CNY210.920 (CNY238.3396)100+ CNY210.730 (CNY238.1249) | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 112A | 900V | 0.02ohm | TO-263 (D2PAK) | 7引脚 | 15V | 2.6V | 477W | 175°C | EliteSiC Series | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 10+ CNY211.100 (CNY238.543)50+ CNY210.920 (CNY238.3396)100+ CNY210.730 (CNY238.1249) | 最少：10 / 多个：1 | 单 | N通道 | 112A | 900V | 0.02ohm | TO-263 (D2PAK) | 7引脚 | 15V | 2.6V | 477W | 175°C | EliteSiC Series | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY241.360 (CNY272.7368)10+ CNY204.460 (CNY231.0398)50+ CNY202.140 (CNY228.4182)100+ CNY199.790 (CNY225.7627)250+ CNY195.800 (CNY221.254) | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 112A | 900V | 0.02ohm | TO-263 (D2PAK) | 7引脚 | 15V | 2.6V | 477W | 175°C | EliteSiC Series | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 10+ CNY204.460 (CNY231.0398)50+ CNY202.140 (CNY228.4182)100+ CNY199.790 (CNY225.7627)250+ CNY195.800 (CNY221.254) | 最少：10 / 多个：1 | 单 | N通道 | 112A | 900V | 0.02ohm | TO-263 (D2PAK) | 7引脚 | 15V | 2.6V | 477W | 175°C | EliteSiC Series | |||||
单件（整卷供应） 整卷 包装选项 | 1+ CNY195.620 (CNY221.0506) | 最少：1 / 多个：1 | Single | - | 112A | - | 0.02ohm | - | - | 15V | - | - | - | - | |||||
