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119A 碳化硅(SiC)MOSFET和模块:
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MOSFET模块配置
通道类型
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
针脚数
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
工作温度最高值
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY227.360 (CNY256.9168)5+ CNY216.950 (CNY245.1535)10+ CNY206.530 (CNY233.3789)50+ CNY196.120 (CNY221.6156)100+ CNY185.700 (CNY209.841) | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 119A | 650V | 0.018ohm | TO-247 | 3引脚 | 18V | 3.2V | 565W | 200°C | |||||
每个 | 1+ CNY223.130 (CNY252.1369)5+ CNY216.310 (CNY244.4303)10+ CNY209.480 (CNY236.7124)50+ CNY202.660 (CNY229.0058)100+ CNY195.830 (CNY221.2879) | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 119A | 650V | 0.018ohm | HiP247LL | 3引脚 | 18V | 3.2V | 565W | 200°C | |||||
每个 | 1+ CNY232.270 (CNY262.4651)5+ CNY203.870 (CNY230.3731)10+ CNY175.470 (CNY198.2811)50+ CNY175.210 (CNY197.9873)100+ CNY174.950 (CNY197.6935) | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 119A | 650V | 0.018ohm | HiP247 | 4引脚 | 18V | 3.2V | 565W | 200°C | |||||
