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119A 碳化硅(SiC)MOSFET和模块:
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MOSFET模块配置
通道类型
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
针脚数
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
工作温度最高值
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY227.360 (CNY256.9168)5+ CNY216.950 (CNY245.1535)10+ CNY206.530 (CNY233.3789)50+ CNY196.120 (CNY221.6156)100+ CNY185.700 (CNY209.841) | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 119A | 650V | 0.018ohm | TO-247 | 3引脚 | 18V | 3.2V | 565W | 200°C | |||||
每个 | 1+ CNY211.550 (CNY239.0515)5+ CNY207.270 (CNY234.2151)10+ CNY202.990 (CNY229.3787)50+ CNY198.710 (CNY224.5423)100+ CNY194.420 (CNY219.6946) | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 119A | 650V | 0.018ohm | HiP247LL | 3引脚 | 18V | 3.2V | 565W | 200°C | |||||
每个 | 1+ CNY232.270 (CNY262.4651)5+ CNY203.870 (CNY230.3731)10+ CNY175.470 (CNY198.2811)50+ CNY169.580 (CNY191.6254)100+ CNY163.680 (CNY184.9584) | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 119A | 650V | 0.018ohm | HiP247 | 4引脚 | 18V | 3.2V | 565W | 200°C | |||||
