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DIF120SIC022
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY639.950 (CNY723.1435) |
| 5+ | CNY570.160 (CNY644.2808) |
| 10+ | CNY500.370 (CNY565.4181) |
| 50+ | CNY400.240 (CNY452.2712) |
| 100+ | CNY300.120 (CNY339.1356) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
120A
漏源接通状态电阻
0.0223ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
4V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
340W
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005167