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17.3A 碳化硅(SiC)MOSFET和模块:
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工程师
制造商
MOSFET模块配置
通道类型
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
针脚数
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
工作温度最高值
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY98.660 (CNY111.4858)5+ CNY86.330 (CNY97.5529)10+ CNY71.530 (CNY80.8289)50+ CNY64.130 (CNY72.4669)100+ CNY59.200 (CNY66.896)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 17.3A | 1.2kV | 0.16ohm | TO-247 | 4引脚 | 20V | 3.1V | 111W | 175°C | EliteSiC Series | |||||
每个 | 1+ CNY56.000 (CNY63.280)5+ CNY48.320 (CNY54.6016)10+ CNY40.630 (CNY45.9119)50+ CNY38.390 (CNY43.3807)100+ CNY36.140 (CNY40.8382)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 17.3A | 1.2kV | 0.16ohm | TO-247 | 4引脚 | 20V | 3.1V | 111W | 175°C | EliteSiC Series | |||||
