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450A 碳化硅(SiC)MOSFET和模块:
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工程师
制造商
MOSFET模块配置
通道类型
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
工作温度最高值
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY8,712.430 (CNY9,845.0459) | 最少：1 / 多个：1 | 半桥 | 双N通道 | 450A | 1.2kV | 0.0026ohm | Module | 15V | 2.5V | 175°C | |||||
每个 | 1+ CNY10,858.800 (CNY12,270.444) | 最少：1 / 多个：1 | 半桥 | 双N通道 | 450A | 1.2kV | 0.0032ohm | - | 15V | 2.5V | 175°C | |||||
