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碳化硅(SiC)MOSFET和模块:
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工程师
制造商
MOSFET模块配置
通道类型
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
针脚数
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
工作温度最高值
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY3,049.470 (CNY3,445.9011)5+ CNY2,637.150 (CNY2,979.9795) | 最少：1 / 多个：1 | 半桥 | 双N通道 | 145A | 2kV | 0.0052ohm | Module | 7引脚 | 18V | 5.15V | - | 175°C | 62 mm C Series | |||||
每个 | 1+ CNY8,210.310 (CNY9,277.6503) | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 526A | 1.2kV | 0.0052ohm | Module | 11引脚 | 15V | 3.6V | 2.142kW | 150°C | - | |||||
